Yb:SFAP crystal, intracavity and indirectly diode-pumped at 914 nm for a cw emission à 985 nm - Institut d'Optique Graduate School
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Yb:SFAP crystal, intracavity and indirectly diode-pumped at 914 nm for a cw emission à 985 nm

Domaines

Optique [physics.optics]

François Balembois  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://iogs.hal.science/hal-00584503

Soumis le : vendredi 8 avril 2011-16:54:31

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:54

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00584503 , version 1 (08-04-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00584503 , version 1

Citer

Marc Castaing, François Balembois, Patrick Georges, Thierry Georges, Kathleen Schaffers. Yb:SFAP crystal, intracavity and indirectly diode-pumped at 914 nm for a cw emission à 985 nm. Advanced Solid State Photonics 2008, Jan 2008, Nara, Japan. ⟨hal-00584503⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

IOGS CNRS PARISTECH LCFIO LCF_LASBIO LCF_LASERS UNIV-PARIS-SACLAY
119 Consultations
0 Téléchargements

Partager

More