Modelling and characterization of heteroepitaxially bonded InP-based structured on SoI for hybrid lasers - Institut d'Optique Graduate School
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

Modelling and characterization of heteroepitaxially bonded InP-based structured on SoI for hybrid lasers

Domaines

Optique [physics.optics]

Henri Benisty  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://iogs.hal.science/hal-00857674

Soumis le : mardi 3 septembre 2013-19:28:44

Dernière modification le : mercredi 20 septembre 2023-13:10:03

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00857674 , version 1 (03-09-2013)

Licence

Paternité

Identifiants

  • HAL Id : hal-00857674 , version 1

Citer

Chengxin Pang, Mondher Besbes, Anne Talneau, A. Itawi, Guang-Hua Duan, et al.. Modelling and characterization of heteroepitaxially bonded InP-based structured on SoI for hybrid lasers. SPIE Optics + Optoelectronics, Apr 2013, Prague, Czech Republic. pp.8781-12. ⟨hal-00857674⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

IOGS CNRS PARISTECH LCFIO LCF_NAPHEL UNIV-PARIS-SACLAY GS-PHYSIQUE
79 Consultations
0 Téléchargements

Partager

More