Analytic modeling of breakdown voltage shift in the CMOS buried multiple junction detector
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Article Dans Une Revue
Solid-State Electronics
Année : 2020
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https://univ-lyon1.hal.science/hal-02463250
Soumis le : mardi 21 décembre 2021-10:59:05
Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:25
Archivage à long terme le : mercredi 23 mars 2022-09:23:46
Dates et versions
Licence
Identifiants
- HAL Id : hal-02463250 , version 1
- DOI : 10.1016/j.sse.2019.107682
- PII : S0038-1101(19)30204-7
Citer
Thais Luana Vidal de Negreiros da Silva, Pascal Kleimann, Patrick Pittet, Guo-Neng Lu. Analytic modeling of breakdown voltage shift in the CMOS buried multiple junction detector. Solid-State Electronics, 2020, 164, pp.107682. ⟨10.1016/j.sse.2019.107682⟩. ⟨hal-02463250⟩
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